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論文

Photon-stimulated ion desorption from mono- and multilayered silicon alkoxide on silicon by core-level excitation

馬場 祐治; Wu, G.; 関口 哲弘; 下山 巖

Journal of Vacuum Science and Technology A, 19(4), p.1485 - 1489, 2001/07

https://doi.org/10.1116/1.1359545
 被引用回数：5 パーセンタイル：26.32(Materials Science, Coatings & Films)

シリコン単結晶表面に吸着したテトラクロロシランにSi 1s領域の放射光を照射した時の分子の分解、イオン脱離機構を調べた。吸着分子自身の励起による効果とシリコン基板の励起による二次的効果とを区別するため、吸着層の数を正確に制御した系について検討した。単相吸着系では、脱離イオンのほとんどがCH$$_{3}^{+}$$イオンであり、その脱離強度は吸着分子のSi 1s→$$sigma$$*共鳴励起で最大となるが、シリコン基板の励起では脱離は認められない。一方、二次電子のほとんどはシリコン基板から発生することから、CH$$_{3}^{+}$$の脱離に寄与するのはオージェ電子、散乱電子などによる二次的効果ではなく、吸着分子自身の直接的な内殻共鳴励起効果によることが明らかとなった。

論文

Desorption of fragment ions from condensed Si(OCH$$_{3}$$)$$_{4}$$ by localized inner-shell electron excitation at the silicon, oxygen and carbon K-edges

馬場 祐治; 関口 哲弘

Journal of Vacuum Science and Technology A, 18(2), p.334 - 337, 2000/03

https://doi.org/10.1116/1.582251
 被引用回数：4 パーセンタイル：23.01(Materials Science, Coatings & Films)

SiO$$_{2}$$薄膜生成の原料物質として使われているシリコンアルコキシド(Si(OR)$$_{4}$$)について、放射光軟X線を照射した時の光分解挙動を調べた。低温でSi(100)表面に多層吸着したテトラメトキシシラン(Si(OCH$$_{3}$$)$$_{4}$$)にSi K-吸収端領域の軟X線を照射した時の脱離イオンは主としてSi(OCH$$_{3}$$)$$_{n}^{+}$$(n=2, 3, 4)であった。一方、CK-吸収端及びOK-吸収端領域の軟X線照射を照射した時の脱離種は、ほとんどがCH$$_{3}^{+}$$であった。これは内殻励起状態がC及びO原子に局在したまま結合解裂が起きていることを示しており、C-O結合の選択的切断によりSiO$$_{2}$$層が形成できる可能性を示唆する結果が得られた。

論文

Formation of ultra-thin SiO$$_{2}$$ layer on Si(100) by thermal decomposition of silicon alkoxide

馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Photon Factory Activity Report, (14), P. 423, 1996/00

Si(100)単結晶表面にSiO$$_{2}$$の超薄膜を生成させる新しい方法を提案するとともに、SiO$$_{2}$$層の化学結合状態と膜厚を放射光光電子分光法により測定した。方法は以下の通りである。(1)Si(100)を真空中で80Kに冷却する。(2)テトラメトキシシランを300層吸着させる。(3)Si(100)基板を0.5$$^{circ}$$C/secの速度で400Kまで加熱する。この方法で得られた酸化層の化学状態はSiO$$_{2}$$であること、SiO$$_{2}$$層の膜厚は0.3nmであることを明らかにした。

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